SB5100-T
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-201AD, Axial |
| Корпус | DO-201AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS | 2 716 | 2.38 | ||
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | 8 | 6.76 | |||
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
CAY16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | 0.00 |
|
|
||
 |
 |
ICE3BR0665J |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR0665J |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR0665J |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR0665J |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3BR0665J |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 184 |
|
||
| T405-600B-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| T405-600B-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| T405-600B-TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| T405-600B-TR |
|
|
||||||
| Z0107MNT1G | ONS |
|
|
|||||
| Z0107MNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| Z0107MNT1G |
|
|
||||||
| Z0109MN 5AA4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| Z0109MN 5AA4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| Z0109MN 5AA4 |
|
|
||||||
| Z0109MN 5AA4 | STMICROELECTRO |
|
|
