Версия для печати
Технические характеристики RC1206JR-0724K

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	RC1206
Сопротивление (Ом)	24K
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Высота	0.026" (0.65mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FSC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)			7.24
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP	48
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ТАИЛАНД
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		281	5.52
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	608 720	1.16  >100 шт.   0.58
		CA016M0010REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%	YAGEO
		CA016M0010REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%			7.80
		CA016M0010REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA016M0010REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC0805JR-071RL			YAGEO	177 852	0.84  >500 шт.   0.28
		RC0805JR-071RL					40.00
		RC0805JR-071RL			YAGEO
		RC1206FR-071K		Резистор SMD 1206 1кОм 0.25Вт 1%	YAGEO
		RC1206FR-071K		Резистор SMD 1206 1кОм 0.25Вт 1%	YAGEO	333 332

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"