NTJD4401NT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 630mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V |
| Power - Max | 270mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTJD4401N (Полевые МОП транзисторы) Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection Также в этом файле: NTJD4401NT1G, NTJD4401NT1
Производитель:
|
