| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 115pF @ 20V |
| Power - Max | 1.04W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | D-Pak |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/20 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
24 464
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
27
|
2.56
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
26 800
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ASEMI
|
2 016
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
2648
|
1
|
1.95
|
|
|
|
|
FSDM0365RL |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0365RL |
|
|
|
|
140.00
|
|
|
|
|
FSDM0365RL |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0365RL |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FSDM0365RL |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
95
|
|
|
|
|
|
NCP1117DT12 |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=12V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1117DT12 |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=12V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
14 998
|
8.27
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
12.95
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 477
|
3.06
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
56 762
|
3.76
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
18 088
|
1.99
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
155 680
|
1.99
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
|
|
440.00
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
587
|
|
|