MMBT5087

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT5087 (FAIRCHILD.)	1 284	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT5087

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100µA, 5V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	40MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRS2092S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS2092S				988.00
IRS2092S		INFINEON
IRS2092S		4-7 НЕДЕЛЬ	113
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.61
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	4 961	4.57
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTOR	132	1.68
MMBT5551LT1G		ONS	35 820	4.36
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTOR	5 108
MMBT5551LT1G			320	1.10
MMBT5551LT1G		ON SEMICONDUCTO
MMBT5551LT1G		ONSEMICONDUCTOR
MMBT5551LT1G		SEMTECH
STTH1506DPI		ST MICROELECTRONICS
STTH1506DPI		STMicroelectronics
STTH1506DPI
TPS73001DBVT		TEXAS INSTRUMENTS
TPS73001DBVT		TEXAS	136	41.38
TPS73001DBVT				63.72
TPS73001DBVT		TEXAS INSTRUMENTS
TPS73001DBVT		ТАИЛАНД
TPS73001DBVT		TEXAS INSTRUMEN
TPS73001DBVT		4-7 НЕДЕЛЬ	541