|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
20 549
|
2.03
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
51 088
|
3.58
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HY ELECTRONIC CORPORATION
|
140
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
120
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
85
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MIC
|
15 972
|
3.27
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YJ
|
3 260
|
8.14
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
7 160
|
5.17
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KLS
|
4 480
|
5.17
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
235 084
|
3.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
LGE
|
36
|
4.13
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
12 448
|
6.45
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
5 156
|
5.43
|
|
|
|
1N5408 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
7 974
|
2.27
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
36 322
|
1.63
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 636
|
2.96
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
232 224
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
114 193
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
76 404
|
2.07
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
190 474
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
66 240
|
1.36
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
188 073
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
12 538
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
224 200
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
21 335
|
1.56
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.78
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
338 042
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
17 285
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
6 027
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
116 610
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
62 400
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
184 187
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
160
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
840
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
246 080
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 900
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
|
|
46.16
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494ID |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
153
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
32
|
50.31
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
|
1
|
126.00
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494IN |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|