ISL6556BCB-T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ISL6556BCB-T (4-7 НЕДЕЛЬ)	90	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики ISL6556BCB-T

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Сфера применения	Controller, Intel VR10X
Напряжение входное	3 V ~ 12 V
Число выходов	4
Напряжение выходное	0.84 V ~ 1.6 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус	28-SOIC W

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
NH82801GB(SL8FX)		INTEL
NH82801GB(SL8FX)		INTEL
NH82801GB(SL8FX)
NH82801GB(SL8FX)		4-7 НЕДЕЛЬ	660
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)
RG82865G(SL743)		4-7 НЕДЕЛЬ	85
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIR
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD	2 003
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	Fairchild Semiconductor
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	International Rectifier
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	168
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	ONS
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный