К71-7 250В 0.345 МКФ 0.5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AP9916H		ADVANCED POWER ELECT. CORP
AP9916H		ADVANCED POWER ELECT. CORP
AP9916H
FW82801EB(SL73Z)		INTEL
FW82801EB(SL73Z)				7 192.00
FW82801EB(SL73Z)		INTEL
FW82801EB(SL73Z)		4-7 НЕДЕЛЬ	115
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
К71-7 250В 0.027 МКФ 0.5%			721	84.00
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		431	13.62
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	80	16.40
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 272	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	9.23
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4