Версия для печати
Технические характеристики HIP6601BCB-T
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 15V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Тип входа | PWM |
| Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
HIP6601B (Управление питанием)
Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
Также в этом файле:
HIP6601BCB-T
Производитель:
Intersil Corporation
|
