| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
TRIMMER
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
8 848
|
12.95
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
9 111
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
47
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
11899
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
1717
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
571
|
34.96
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 544
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
319
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
2 219
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
3580
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
702
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
614
|
32.02
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
26.55
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 152
|
40.28
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 332
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
3940
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
4249
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
|
4 677
|
27.75
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ЗОНД
|
146
|
21.20
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
СЗТП
|
8
|
65.59
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
САРАНСК
|
15
|
53.00
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
183
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
24
|
|
|
|
Версия для печати
