Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 1V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 225mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 90 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-NP0-47PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 47пФ, 50 В, 5%, 0805, NP0
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-47PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 47пФ, 50 В, 5%, 0805, NP0
|
|
162
|
1.20
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
18 648
|
2.27
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
3 185
|
2.96
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
472 866
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
154 086
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
216 776
|
1.10
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
62 443
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
71 044
|
1.36
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
194 376
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
|
128
|
61.05
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
BM
|
263
|
116.41
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
NXU
|
|
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
КИТАЙ
|
52
|
35.91
|
|
|
|
DHR-15F |
|
гнездо 15 pin высокой плотности на плату
|
CONNFLY ELECTRONIC CO., LTD
|
|
|
|
|
|
SN65220DBVT |
|
SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN65220DBVT |
|
SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V
|
|
|
84.60
|
|
|
|
SN65220DBVT |
|
SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
75
|
|
|
|
|
SN65220DBVT |
|
SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN65220DBVT |
|
SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
41
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 820 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 820 5% |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|