BC637
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-92-3 |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 1W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC635 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) Также в этом файле: BC637
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | КРЕМНИЙ | 800 |
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | 108 | 15.12 | ||
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | АЛЕКСАНДРОВ | 756 | 8.40 | |
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | БРЯНСК | 5 936 | 17.43 | |
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | ЭЛЕКС | 512 | 46.49 |
