Версия для печати
Технические характеристики BC308A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 5V
Power - Max	500mW
Frequency - Transition	130MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		1 494	5.52
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	857	12.72
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512
		КТ3107БМ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		693	8.00
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	880	11.71
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	20 890	4.24
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	4 388	4.24
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	2076
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	26113
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	3429

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS THOMSON
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD435		NPN 32V 4A 36W	STMicroelectronics
		BD435		NPN 32V 4A 36W		4	49.14
		BD435		NPN 32V 4A 36W	1
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer	NXP
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer	NEX-NXP
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		1 784	37.48
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	10 662	31.80
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ	4	169.60
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
		КТ630Е				240	174.80
		КТ630Е			КРЕМНИЙ	40	460.67
		КТ630Е			БРЯНСК
		КТ630Е			ГРАВИТОН
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	8	1 085.31
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		18	340.20
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	8	527.04

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"