BAS70-05W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAS70-05W (PHILIPS.)	2 866	3-4 недели Цена по запросу
BAS70-05W (NXP.)	1 654	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BAS70-05W

Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 70V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 15mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	70mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	70V
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BAS70J

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

Также в этом файле: BAS70-05W

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

BAS70-05W datasheet
231.85Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CSTCE16M0V53A-R0	Резонатор керамический для поверностного монтажа 16МГц, 40Ом, 0.5%	MURATA
CSTCE16M0V53A-R0	Резонатор керамический для поверностного монтажа 16МГц, 40Ом, 0.5%			53.80
LIS3DH		ST MICROELECTRONICS
LIS3DH			21 240	88.00
LIS3DH		STMicroelectronics
LIS3DH		МАЛЬТА
PCA9600D		NXP
PCA9600D				810.00
PCA9600D		NXP
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	PHILIPS
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet		4	30.72
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP	128
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NEXPERIA
SN65HVD234D		TEXAS INSTRUMENTS
SN65HVD234D				363.20
SN65HVD234D		США
SN65HVD234D		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
SN65HVD234D		TEXAS