| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
2N5484 |
|
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
|
624.00
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
|
|
40.12
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
481
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
35.92
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
4
|
75.60
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
749
|
|
|
Версия для печати
