2П303Г

Транзисторы кремниевые полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты Д, Е и низкой А, Б, В, 3, Ж,  частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах. Тип прибора указывается на корпусе.
Основные технические характеристики:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - • Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 12 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ