Версия для печати
Технические характеристики SM6T18A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TRANSIL™
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	15.3V
Voltage - Breakdown	17.1V
Мощность (Ватт)	600W
Polarization	Unidirectional
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	7 001	1.49
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	36 719	2.96
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR	513	1.49
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 019	1.12
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		11 677	1.28  >100 шт.   0.64
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	489 929	1.18
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	34 400	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	2 984	1.31
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	660 971	1.61
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.86  >100 шт.   0.93
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME	79 200	1.29  >500 шт.   0.43
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	81	1.84  >100 шт.   0.92
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	124	1.23
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	1.15
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	41 813	1.32  >500 шт.   0.44
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	32 880	1.12  >100 шт.   0.56
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	13825
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	782
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ELZET
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	TRR	872 920	1.29  >500 шт.   0.43
		BYG22D-E3/TR			VISHAY
		BYG22D-E3/TR			Vishay/General Semiconductor
		BYG22D-E3/TR			VISHAY	1 123
		BYG22D-E3/TR					60.80
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		3 600	10.97
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		LM2936DT-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2936DT-5.0					194.08
		LM2936DT-5.0			NSC
		LM2936DT-5.0			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2936DT-5.0			4-7 НЕДЕЛЬ	763
		SMBJ18A-TR		Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB	ST MICROELECTRONICS	712	16.15
		SMBJ18A-TR		Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB		25 984	9.30
		SMBJ18A-TR		Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB	ST MICROELECTRONICS SEMI	4 846
		SMBJ18A-TR		Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB	STMicroelectronics
		SMBJ18A-TR		Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"