Версия для печати
Технические характеристики LG200M1500BPF-3545

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	200 В
Ток утечки	3000 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Максимальный ток пульсаций	3.1 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 35x45
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	1500 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	FAIR
		FDP33N25		250v n-channel mosfet
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	ONS-FAIR
		FDP33N25		250v n-channel mosfet	ONS
		GSIB2580			VISHAY
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	18	1 125.45
		IRS20955S			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRS20955S					564.00
		IRS20955S			INFINEON
		IRS20955S			4-7 НЕДЕЛЬ	33
		RC1206JR-071K6		Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5%	YAGEO
		RC1206JR-071K6		Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5%	YAGEO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"