|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 200 В |
| Ток утечки | 30 мкА |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.15 |
| Максимальный ток пульсаций | 0.036 А |
| Шаг выводов | 3.5 мм |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 8x11 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| For General | |
| Емкость | 3.3 мкФ |
| Серия | SH |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DT9905C |
|
|
||||||
| DT9905C |
|
|
||||||
| SH200M2R20BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 200 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH200M2R20BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH200M2R20BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | 266 | 45.36 | |||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП307Б | 81 | 45.36 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН |
|
|
||||
|
|
КП307Ж |
|
34.56 | |||||
|
|
КП307Ж | ФОТОН |
|
|