SH100M0015B3F-0811


Электролитический алюминиевый конденсатор 15 мкФ 100 В

Купить SH100M0015B3F-0811 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SH100M0015B3F-0811
Версия для печати

Технические характеристики SH100M0015B3F-0811

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение100 В
Ток утечки18 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.1
Максимальный ток пульсаций0.082 А
Шаг выводов3.5 мм
Срок службы2000 Ч
Размер корпусаф 8x11
Рабочая температура-40...105 °C
For General
Емкость15 мкФ
СерияSH
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    SH200M3R30B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SH200M3R30B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SH200M3R30B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SN050M0022B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SN050M0022B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SN050M0022B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SN050M0022B3F-0811 Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
ГД507А Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА     Заказ радиодеталей 4.80 
ГД507А Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА   ЭЛЕКС Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...     80 49.19 
  КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...   ФОТОН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КР159НТ1Б Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)     801 37.48 
КР159НТ1Б Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)   ТОНДИ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход