| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
120
|
1.27
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
9 406
|
1.73
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
378
|
2.25
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
132
|
1.84
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
|
|
6.32
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
888
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
2 191
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
26 175
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
175 867
|
1.03
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
48 013
|
1.07
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
10 765
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
14895
|
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
|
|
137.08
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL
|
20
|
150.06
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
132
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
|
2
|
118.44
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
24
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
1
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
|
22
|
24.05
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
BM
|
14
|
63.57
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
NXU
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
SZC
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
|
868
|
5.47
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
НАРЫШКИНО
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
СЗТП
|
40
|
53.09
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
РАДИОДЕТ
|
2 032
|
0.84
>500 шт. 0.28
|
|