|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
751
|
528.38
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
|
93
|
455.40
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
695
|
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
ONS
|
3 546
|
15.10
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PZT2907AT1G |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
|
|
10.00
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
США
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
8
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
AD1
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
412
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET
|
8 263
|
55.76
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
|
22
|
36.30
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET
|
856
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|
|
|
T491D107K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
KEMET/YAGEO
|
|
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
KEMET
|
2 808
|
58.15
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
|
|
30.56
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
ПОРТУГАЛИЯ
|
|
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491D476K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|