| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
5 897
|
2.23
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
18 005
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
KEEN SIDE
|
37 380
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
|
|
230.00
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
MAT
|
|
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
PAN
|
|
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
AN7591 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
NXP
|
1 115
|
46.64
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
|
3 484
|
15.89
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
3
|
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
903
|
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
12
|
118.37
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
16
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
|
1 693
|
51.17
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
|
|
272.00
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
186
|
|
|
Версия для печати
