| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
0.00
|
|
|
|
 |
 |
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS THOMSON
|
210
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 099
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
|
|
1 278.32
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
324
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
|
293
|
26.46
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
СЗТП
|
80
|
37.80
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
НЗПП
|
472
|
43.39
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
|
|
4.76
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
5 760
|
17.43
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
880
|
46.49
|
|
Версия для печати
