|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS THOMSON
|
210
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 099
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
272
|
1 136.52
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
|
|
1 278.32
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS
|
644
|
1 146.64
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ISO124P |
|
Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
324
|
|
|
|
|
JFV0A1224K150000B |
|
|
JB
|
414
|
9.30
|
|
|
|
JFV0A1224K150000B |
|
|
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 773
|
19.82
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
|
|
58.00
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
84
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
94
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
|
108
|
15.12
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
131
|
8.40
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
6 099
|
17.43
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
552
|
46.49
|
|