Версия для печати
Технические характеристики SN74AC373N

Корпус	20-PDIP
Корпус (размер)	20-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной макс., мин.	24mA, 24mA
Время задержки	7.5ns
Независимые Каналы	1
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Тип выхода	Tri-State
Каналы	8:8
Логический тип	D-Type Transparent Latch
Серия	74AC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Tri-State

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Регистр-защелки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1127КН3				5	1 110.00
		1127КН3			СВЕТЛАНА	21	2 520.00
		2Т3130А9		Биполярный универсальный транзистор p-n-p 50В, 0.1А, 150МГц		1 739	106.72
		2Т3130А9		Биполярный универсальный транзистор p-n-p 50В, 0.1А, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ	35	52.50
		2Т3130А9		Биполярный универсальный транзистор p-n-p 50В, 0.1А, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3130А9		Биполярный универсальный транзистор p-n-p 50В, 0.1А, 150МГц	КРЕМНИЙ
		2Т3130А9		Биполярный универсальный транзистор p-n-p 50В, 0.1А, 150МГц	ДАЛЕКС	1 180	76.80
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	NXP
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	DC COMPONENTS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35			10.56
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS THOMSON	210
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 099
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	STMicroelectronics
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	121	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	792	10.41
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 372	8.28
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.42
		JFV0A1224K150000B			JB
		JFV0A1224K150000B

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"