| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
|
377
|
16.96
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ФРЯЗИНО
|
44 703
|
16.96
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
MEY
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
563
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
MEV
|
373
|
21.20
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
477
|
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
497
|
|
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
|
|
146.80
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АОТ101АС |
|
Двухканальный транзисторный оптрон
|
УРЗ
|
|
|
|
|
|
|
К73-9-4700ПФ 630В (5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
12
|
109.44
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
4
|
351.36
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
140
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
22
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
