PMBT5401
Транзистор биполярный SMD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMBT5401 (Высоковольтные биполярные транзисторы) PNP high-voltage transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В | MASTER CHIP |
|
|
||
|
|
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В |
|
|
|||
| CD4050BDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| CD4050BDR |
|
26.00 | ||||||
| CD4050BDR | TEXAS |
|
|
|||||
| CD4050BDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 664 |
|
|||||
 |
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | RCA |
|
|
||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | TEXAS INSTRUMENTS | 1 299 | 14.23 | ||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | 1 | 45.36 | |||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | TEXAS |
|
|
||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||
|
|
CD4050BE |
|
(КР1561ПУ4) PDIP16 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 82 |
|
||
| MMSZ5V6T1G |
|
Стабилитрон (P=500mW, Vz=5.6V, Izt=5mA, 5%) | 67 | 15.60 | ||||
| MMSZ5V6T1G |
|
Стабилитрон (P=500mW, Vz=5.6V, Izt=5mA, 5%) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMSZ5V6T1G |
|
Стабилитрон (P=500mW, Vz=5.6V, Izt=5mA, 5%) | ON SEMICONDUCTOR | 13 345 |
|
|||
| MMSZ5V6T1G |
|
Стабилитрон (P=500mW, Vz=5.6V, Izt=5mA, 5%) | ONS |
|
|
|||
| МЛТ-1-1,5 КОМ-5% | 6 986 | 7.40 |
