IRF2907Z
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-262 |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 300W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF2907Z HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF2907ZL, IRF2907ZS, IRF2907ZL, IRF2907ZS
Производитель:
|
