|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
10 236
|
4.66
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 890
|
8.42
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
29 600
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
353
|
1.74
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.17
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2SA1486 |
|
|
|
|
208.00
|
|
|
|
2SA1486 |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC3840 |
|
NPN 600V, 1A, 15W, 0.2uS
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC3840 |
|
NPN 600V, 1A, 15W, 0.2uS
|
|
|
102.80
|
|
|
|
2SC3840 |
|
NPN 600V, 1A, 15W, 0.2uS
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
|
328
|
42.55
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ATMEL CORPORATION
|
16
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
197
|
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
VISHAY
|
240
|
45.38
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
|
52
|
38.80
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
SFH610A-3 |
|
Оптопара (Фототранзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
497
|
|
|