| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
DC COMPONENTS
|
10 577
|
1.75
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
|
12 441
|
1.07
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
NGBO YOUNG ELECTRON
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
КИТАЙ
|
80
|
6.80
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIC
|
14 239
|
1.78
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
KINGTRONICS
|
7
|
3.10
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 683
|
1.97
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YJ
|
176
|
3.10
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
WUXI XUYANG
|
32 740
|
2.66
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE
|
11 600
|
1.71
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
JANGJIE
|
5
|
2.04
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
HOTTECH
|
28 000
|
1.25
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
119
|
75.60
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 344
|
88.80
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
504
|
29.17
|
|
|
|
|
SQP10AJB-27R |
|
|
Yageo
|
880
|
17.98
|
|
|
|
|
SQP10AJB-27R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STRW6554A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRW6554A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRW6554A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
|
3
|
1 009.26
|
|
|
|
|
STRW6554A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRW6554A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
722
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
|
|
542.40
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRW6556A |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
236
|
|
|
Версия для печати
