| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
SANKEN
|
52
|
445.06
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
|
|
167.04
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 50В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 50В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 50В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 50В
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ECAP 10/50V 0511 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 50 В, 105 С
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
 |
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
8 848
|
12.95
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
9 111
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
47
|
10.60
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
11899
|
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
1717
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
140
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
26
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
