Версия для печати
Технические характеристики MAX5035AASA

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение входное	7.5 V ~ 76 V
Ток выходной	1A
Частота переключения	125kHz
Напряжение выходное	3.3V
Число выходов	1
Synchronous Rectifier	Нет
Внутренняя коммутация	Да
Тип	Step-Down (Buck), PFM/PWM
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

DC/DC регуляторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	TOSHIBA
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	TOS
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)			20.96
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	КИТАЙ
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	CJ
		2SC2235		Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)	JSCJ	1 500	97.72
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	1 728	32.57
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	11 873	34.18
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME	576	48.42
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	4 931	35.94
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	640	27.19
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 080	21.75
		KP-1608VGC-A			KB	3 334	42.47
		KP-1608VGC-A					47.52
		KP-1608VGC-A			KINGBRIGHT	301	60.96
		KP-1608VGC-A			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		KP-1608VGC-A			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KP-1608VGC-A			KGB	5 588	34.15
		PMBD7000		Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	NXP
		PMBD7000		Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	PHILIPS
		PMBD7000		Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)			12.00
		PMBD7000		Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	NXP	20 096
		PMBD7000		Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	PHILIPS	86
		К73-17 630В 0.01МКФ 5%
		К73-17 630В 0.01МКФ 5%			КУЗНЕЦК
		К73-17 630В 0.01МКФ 5%			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"