Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип | General Purpose |
Число элементов | 2 |
Тип выхода | DTL, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL |
Напряжение питания | 5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Корпус | 14-SOIC |
Output Type | DTL, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
|
|
1 032.00
|
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
ANALOG DEVICES
|
2
|
|
|
|
|
ADG1408YRUZ |
|
5Ohm Max Ron, 4 - /8 - Channel +15V/12V/+5V Multiplexers
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
659
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IPS521GTR |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INFINEON
|
7 333
|
79.28
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
JSMICRO
|
2
|
93.24
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY
|
203
|
224.33
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONS
|
10 347
|
36.45
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
|
8 080
|
10.18
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
580
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
1
|
|
|
|
|
|
MURS120T3G |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
JSMICRO
|
4 530
|
2.70
|
|