IRFS640B
|
Версия для печати
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Крутизна характеристики S,мА/В | 13000 |
| Корпус | TO220F |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1651[C] | SAN |
|
|
|||||
| LA78041 | SANYO |
|
|
|||||
| LA78041 | 5 | 113.40 | ||||||
| LA78041 | SAN |
|
|
|||||
| LA78041 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LA78041 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LA78041 | 1 |
|
|
|||||
| LA78041 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 339 |
|
|||||
 |
 |
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot |
|
123.56 | ||
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | КИТАЙ |
|
|
|
 |
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SANKEN |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SK |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 2 | 346.50 | |||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 1 |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 4-7 НЕДЕЛЬ | 331 |
|
||
| UF5407 | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| UF5407 | SMK |
|
|
