IRF7329

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7329 (EVVO)	2 360	5.81

Версия для печати

Технические характеристики IRF7329

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 P-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	57nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7329 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7329 datasheet
173.6 Кб