| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 256 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 4KB (2K x 16) |
| Число вводов/выводов | 6 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | USI |
| Скорость | 10MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | AVR |
| Серия | AVR® ATtiny |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATTINY85V-10SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY85V-10SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ...
|
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY85V-10SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY85V-10SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
729
|
|
|
|
|
|
CDRH6D12NP-1R5NC |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
CDRH6D12NP-1R5NC |
|
|
|
|
80.00
|
|
|
|
|
CDRH6D38NP-3R3NC |
|
|
SUMIDA
|
5 467
|
24.43
|
|
|
|
|
CDRH6D38NP-3R3NC |
|
|
|
|
54.56
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
131 644
|
1.95
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
6 128
|
4.32
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
56 295
|
2.06
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
32 137
|
5.34
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
26 000
|
2.29
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
58.59
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
|
1 920
|
18.21
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
Версия для печати
