![]() |
|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
A3906SESTR-T |
![]() |
Allegro Microsystems Inc |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
A3906SESTR-T |
![]() |
ALLEGRO |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
A3906SESTR-T |
![]() |
ALLEGRO | 748 | 95.11 | ||
![]() |
![]() |
A3906SESTR-T |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
A3906SESTR-T |
![]() |
4-7 НЕДЕЛЬ | 664 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | VISHAY | 4 | 94.50 | |
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | 1 | 112.14 | ||
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | VISHAY/IR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | 1 | 112.14 | ||
![]() |
![]() |
IRF640S |
![]() |
N-канальный 200В 18А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 181 | 94.50 | |
LP2981-50DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 800 | 19.03 | |||||
LP2981-50DBVR | 2 436 | 17.60 | ||||||
LP2981-50DBVR | TEXAS | 1 628 | 28.97 | |||||
LP2981-50DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 312 |
![]() |
|||||
ST207EBD | 1 | 127.65 | ||||||
ST207EBD | 1 | 127.65 | ||||||
ST207EBD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 787 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
ЭПСН 220В 25ВТ |
![]() |
Паяльник жало медь нагр. элемент керамика 25Вт, 220В |
![]() |
316.00 |
|
Корзина
|