IRF8010S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF8010S (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	25	3-4 недели Цена по запросу
IRF8010S		569.60

Версия для печати

Технические характеристики IRF8010S

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3830pF @ 25V
Power - Max	260W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF8010S (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8010S datasheet
224 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
EFD20 P3 СЕРД.		SHAAN
EFD20 P3 СЕРД.			25.80
EFD20 P3 СЕРД.		SHINHOM
EFD20 P3 СЕРД.		КИТАЙ
FS3M	SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC	FAGOR
FS3M	SMD выпрямительный диод 1000V 3A SMC		50.12
SK100M0100B5S-1019 (100V 100UF/10*19)	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В