IRF1405Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF1405Z		257.60

Версия для печати

Технические характеристики IRF1405Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4780pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1405Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1405Z datasheet
293 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
7810C				36.00
7810C		КРЕМНИЙ
7810C		4-7 НЕДЕЛЬ	744
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C		1	18.96
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	КРЕМНИЙ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ANK
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	БРЯНСК
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ВОРОНЕЖ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	4-7 НЕДЕЛЬ	168
ES2G-E3/52T		GENERAL SEMICONDUCTOR
ES2G-E3/52T		GENERAL SEMICONDUCTOR	59
ES2G-E3/52T
ES2G-E3/52T		Vishay/General Semiconductor
ES2G-E3/52T		VISHAY
ES3D-E3/57T		VISHAY	442	21.63
ES3D-E3/57T		GENERAL SEMICONDUCTOR
ES3D-E3/57T		GENERAL SEMICONDUCTOR	787
ES3D-E3/57T		Vishay/General Semiconductor
ES3D-E3/57T
ES3G	Диод	GENERAL SEMICONDUCTOR
ES3G	Диод	GENERAL SEMICONDUCTOR
ES3G	Диод	YJ
ES3G	Диод	YANGJIE	7 200	4.32
ES3G	Диод	YANGJIE (YJ)
ES3G	Диод	LGE	9 600	3.40
ES3G	Диод	DIOTEC	1 608	12.41
ES3G	Диод