| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
|
|
720.00
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA168-20AU |
|
8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K bytes SRAM, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
360
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
|
440
|
10.24
|
|
|
|
BZV55-C18.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
L-103IDT |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-103IDT |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-103IDT |
|
Единичный светодиод
|
|
|
6.92
|
|
|
|
L-103IDT |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-103IDT |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
|
5 760
|
19.37
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS
|
56
|
33.76
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|