| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
|
|
51.12
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
8
|
13.01
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
6 495
|
17.23
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
|
20
|
37.00
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
680
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.50
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/16V 0811 105C SH |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 16 В
|
YAGEO
|
|
|
|