| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
CHINA
|
1
|
14.91
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
4 949
|
11.94
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
1
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
|
|
120.00
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
245 464
|
2.56
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
8.27
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
8
|
3.75
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
18 635
|
5.14
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 892
|
2.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.78
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.12
|
|
|
|
|
КСОТ-1Г-250В-510 ПФ 10% |
|
|
|
|
|
|