|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 12x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Число вводов/выводов | 18 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 16F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
DIP20-S |
|
Панель DIP-20S с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. | NELTON |
|
|
|
|
|
|
DIP20-S |
|
Панель DIP-20S с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. |
|
8.80 | ||
|
|
|
DIP20-S |
|
Панель DIP-20S с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. | NELTRON |
|
|
|
|
|
|
DIP20-S |
|
Панель DIP-20S с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. | HSUAN MAO |
|
|
|
| DIP6-S-M | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| DIP6-S-M |
|
19.52 | ||||||
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм |
|
6.00 | ||
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTRON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | HSUAN MAO |
|
|
|
| LM217LZ | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LM217LZ |
|
|
||||||
| LM217LZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 516 |
|
|||||
| ТП-122-5 220/9.0В-0.8А |
|
336.00 |