|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 032
|
7.73
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
12 000
|
5.13
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
19
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
YOUTAI
|
27 443
|
3.39
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW
|
15 200
|
4.13
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
84
|
|
|
|
|
LM2904NG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904NG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM2904NG |
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
|
|
90.48
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74AC74D |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
615
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
ST MICROELECTRONICS
|
240
|
211.19
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
10
|
147.42
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
9
|
283.50
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|