|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В
|
VISHAY
|
6 496
|
18.59
|
|
|
|
293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D226X9020B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 20 В
|
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
8 037
|
2.19
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 563
|
3.79
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
560 151
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 325
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.63
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
5 057
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
127 661
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
67 200
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
188 971
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
YAGEO
|
438 096
|
1.29
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
|
|
33.48
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
YAGEO
|
123 314
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
6 092
|
4.57
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206MRY5V9BB474 |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|