| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
|
|
52.00
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
HIT
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
18.32
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
США
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
2SB1109C |
|
Биполярный транзистор
|
NTM
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
|
624.00
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
3Л102А |
|
|
|
|
26.40
|
|
|
|
|
3Л102А |
|
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
|
7 204
|
3.10
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
PHILIPS
|
40
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
WEEN
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BT169D |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
FUXINSEMI
|
|
|
|