| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
201
|
130.20
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
11
|
186.00
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHIIPS
|
40
|
130.20
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
181
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
50
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
71
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/50V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 50 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/50V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 50 В, 105С
|
|
|
9.60
|
|
|
|
ECAP 22/50V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 50 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/50V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 50 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ECAP 22/50V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22мкФ, 50 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
|
|
125.52
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON
|
270
|
65.10
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
|
|
161.64
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
402
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
|
39
|
307.44
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ
|
16
|
196.31
|
|