| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.43
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 338
|
2.74
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
24 272
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
734 133
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
428 363
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
1 102
|
1.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
64 447
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
85
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
130 489
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
213 360
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
127 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
201
|
125.30
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
27
|
73.60
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHIIPS
|
40
|
125.30
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
181
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
50
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
71
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
|
|
125.52
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
688
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON
|
270
|
62.65
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
|
|
161.64
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
402
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
|
39
|
307.44
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ
|
41
|
196.31
|
|