Версия для печати
Технические характеристики DEBB33D472KA3B

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Количество в упаковке	100 шт.
Вес	1.186 г
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	2 кВ
Тип диэлектрика	B
Рабочая температура	-25...85 °C
	High Voltage Ceramic Cap.(250V-6.3kV)
Номинальное напряжение	2 кВ
Температурный коэфициент	B
Емкость	4700 пФ
Серия	DEB
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.591" Dia (15.00mm)
Высота	0.709" (18.00mm)
Lead Spacing	0.295" (7.50mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Flat Bent

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

Синонимы от поставщиков: DEBB33D472KA3B ; DEBB33D472KA3B ; конденсатор DEBB33D472KA3B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847BMTF			FAIR
		BC847BMTF			FSC
		BC847BMTF			FAIRCHILD
		BC847BMTF			FAIRCHILD
		BC847BMTF			Fairchild Semiconductor
		BC847BMTF			США
		BC847BMTF			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	20 313	1.98
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	8	2.10
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	CHIN
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	CHINA
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	2 404	1.83
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	3 046
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	2 130
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	INFINEON TECH
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIODES INC
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KINGTRON
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)		110 357	1.36  >100 шт.   0.68
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME	646	1.10
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	148 230	1.45
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	LRC	1 920	2.07
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KOME	10	1.61
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	180 225	1.48  >100 шт.   0.74
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	36 637	1.43
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YJ	360 433	1.20
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	RUME
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	TRR ELECTRONICS	299	1.23
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA	38 436	1.40
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.94  >100 шт.   0.97
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	XXW	43 056	1.44  >100 шт.   0.72
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	DC COMPONENTS	141 754	2.01
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KINGTRON
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	HOTTECH	387 346	1.16
		DB-3 T/B
		DB-3 T/B			MCC
		DEBB33F332KA3B		Конденсатор керамический радиальный 3300 пФ, +-10% , 3150В
		DEBB33F332KA3B		Конденсатор керамический радиальный 3300 пФ, +-10% , 3150В	Murata Electronics North America
		DEBB33F332KA3B		Конденсатор керамический радиальный 3300 пФ, +-10% , 3150В	MUR
		DEBB33F332KA3B		Конденсатор керамический радиальный 3300 пФ, +-10% , 3150В	MURATA
		DEBB33F332KA3B		Конденсатор керамический радиальный 3300 пФ, +-10% , 3150В	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"