BCR8PM

Версия для печати

Технические характеристики BCR8PM

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	600
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	600
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	80
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В	1.6
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А	0.02
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В	1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс	50
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс	50
Время включения tвкл.,мкс	2
Рабочая температура,С	-40…125
Корпус	TO2120F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	EIC
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	VISHAY	800	10.93
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA		2 376	9.25
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	DC COMPONENTS
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIR
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIRCHILD
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIRCHILD	220
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	КИТАЙ
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	KINGTRONICS
BTB12-600BWRG	Симистор 12A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS
BTB12-600BWRG	Симистор 12A 600V 50mA
BTB12-600BWRG	Симистор 12A 600V 50mA	STMicroelectronics
BTB12-600BWRG	Симистор 12A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS SEMI	206
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	YAGEO
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK063M1000B7F-1632	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 63 В	YAGEO
SK063M1000B7F-1632	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK063M1000B7F-1632	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS	2	60.48
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om		4	102.06
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS SEMI
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMicroelectronics
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	КИТАЙ
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRO
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMICROELECTR
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	1
VIPER22ADIP-E	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	4-7 НЕДЕЛЬ	333