Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 600 |
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 600 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 8 |
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 80 |
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В | 1.6 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.02 |
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В | 1.5 |
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 50 |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 50 |
Время включения tвкл.,мкс | 2 |
Рабочая температура,С | -40…125 |
Корпус | TO2120F |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ECAP 1000/16V 1020 105C WL |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 20%
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
SB360-E3/54 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SB360-E3/54 |
|
|
VISHAY
|
3 044
|
19.89
|
|
|
|
SB360-E3/54 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1 216
|
|
|
|
|
SB360-E3/54 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SB360-E3/54 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SK063M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK063M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK063M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK063M0470B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIRCHILD
|
1 696
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICROSEMI CORP
|
24
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITTELFUSE
|
1 221
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITTELFUSE
|
12 060
|
17.13
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
628
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
1 799
|
6.30
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
|
11 660
|
3.41
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
JJM
|
2
|
8.95
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YOUTAI
|
8 962
|
2.27
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
HOTTECH
|
14 916
|
5.95
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YJ
|
22 423
|
3.53
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YANGJIE
|
2 400
|
5.14
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
UMW
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
KLS
|
8
|
6.58
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
SUNTAN
|
124
|
5.62
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
|
|
131.32
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
NEC ELECTRONICS
|
10
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
CEL
|
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
UPC8211TK-E2-A |
|
Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
742
|
|
|