BCR8PM

Версия для печати

Технические характеристики BCR8PM

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	600
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	600
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	80
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В	1.6
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А	0.02
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В	1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс	50
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс	50
Время включения tвкл.,мкс	2
Рабочая температура,С	-40…125
Корпус	TO2120F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	EIC
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	VISHAY	800	9.83
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA		2 416	9.25
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	DC COMPONENTS
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIR
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIRCHILD
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	FAIRCHILD	220
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	КИТАЙ
1N4756A	Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA	KINGTRONICS
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	FAIR
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	FSC
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	Fairchild Semiconductor
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	КИТАЙ
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz		32	113.68
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	FSC1
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	FAIRCHILD
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	ONS
FSDM311	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	254
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	YAGEO
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SH025M1500B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK400M4R70B5S-1015	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 400 В	YAGEO
SK400M4R70B5S-1015	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK400M4R70B5S-1015	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	27	25.41
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz			48.00
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ONS
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	197
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	120