Версия для печати
Технические характеристики 4.7МКФ 450В (10X18)

Номинальное напряжение	450В
Емкость	4.7 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	CHIN
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	DC COMPONENTS	7 738	3.14
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	MCC
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns		2 644	3.72
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	YJ	1 600	2.83
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	MIC	20 215	3.14
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	WTE
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	GALAXY
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	YJ ELECTRONIC CORP
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	BILING
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	КИТАЙ	8	1.50
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	RECTIFIER
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	MIG
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	EXTRACOMPONENTS
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	KINGTRON
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	GD
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	KINGTRONICS
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	GALAXY ME
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	TSC
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	SUNTAN
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	WUXI XUYANG
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	YANGJIE	18 400	2.77
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	YANGJIE (YJ)
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	KLS	494	7.06
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	DG
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	LD
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	JANGJIE	191	2.55
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	1
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	CTK
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	MERRYELC
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	KEEN SIDE
		FR207		Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns	3
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS	2	60.48
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om		6	136.08
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS SEMI
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMicroelectronics
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	КИТАЙ
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRO
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMICROELECTR
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	1
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ315Б1				2 458	14.51
		КТ315Б1			КРЕМНИЙ	537	16.40
		КТ315Б1			БРЯНСК
		КТ315Б1			МИНСК
		КТ315Б1			3295
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		3 282	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
		СП3-38Б-0.125ВТ220К (20%)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"